12月10日，比亚迪正式推出了IGBT 4.0产品，经过十余载的技术积淀、持续迭代升级，此次推出的车规级产品IGBT4.0在诸多关键技术指标上都优于当前市场主流产品。发布会上，比亚迪还宣布将布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC，并加快其在电动车领域的应用。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种大功率的电力电子器件，是新能源汽车最核心的技术。对于电动车而言，它能够直接控制直、交流电的转换，决定驱动系统的扭矩、最大输出功率等。在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备，以及工业领域（高压大电流场合的交直流电转换和变频控制）等应用极广。
长期以来，IGBT的核心技术始终掌握在国外厂商手里，国内发展严重滞后。在十多年前，外界还不看好电动车前景的时候，刚进入汽车行业的比亚迪就开始密切关注IGBT等电动车核心技术的研发。经过不断的努力，在2009年比亚迪自主研发的IGBT芯片通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破。
据官方介绍，全新的IGBT 4.0产品在在芯片损耗、模块温度循环能力、电流输出能力等关键指标上达到了先进水平。其中在芯片损耗上，IGBT4.0产品的综合损耗相比当前市场主流产品降低了约20%；在温度循环能力上，IGBT4.0产品模块的温度循环寿命可以做到当前市场主流产品的10倍以上；在电流输出能力上：搭载IGBT4.0的V-315系列模块在同等工况下较当前市场主流产品的电流输出能力提升15%，具有更强的加速能力。
在工艺指标方面，在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上，比亚迪处于全球先进水平，可将晶圆厚度减薄到120um（约两根头发丝直径），在晶圆的产品分析中，需要用到倍率高达500000倍的扫描电子显微镜进行。为保证产品质量，比亚迪IGBT生产环境的洁净度要求达到最高等级的一级，其制造用水标准需达到超纯水，为达到这个标准，需要经过20多层净化。为保证产品品质，生产晶圆的光刻机需要放在特制的防震台上，并且晶圆工厂的地基需要打到岩石层。
随着电动车性能不断地提升，对功率半导体组件提出了更高的要求。比亚迪还透露目前正在研发第三代半导体材料SiC（碳化硅）,有望于2019年将推出搭载SiC电控的电动车，同时比亚迪希望能够在2023年采用SiC基半导体全面替代硅基半导体（如硅基IGBT），期望产品能够在车辆加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。
比亚迪依靠自身强大的研发实力和自主创新，从之前IGBT技术被国际巨头垄断的局面到实现零突破以及今天第四代产品技术上的重大革新，在汽车功率半导体领域有了非常核心的突破，为我国汽车产业提供强大的“中国芯”，这对于促进我国芯片产业以及新能源汽车产业的发展具有深远意义，特别是在国际贸易摩擦不断升级的当下。
